| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2018년 봄 (05/16 ~ 05/18, 삼척 쏠비치 호텔&리조트) |
| 권호 |
24권 1호 |
| 발표분야 |
G. 나노/박막 재료 분과 |
| 제목 |
유기금속화학증착장비를 이용하여 Ga,Al 전구체와 챔버 유량률에 따른 AlGaN 에피성장 조사 |
| 초록 |
최근 LED를 연구하는 많은 연구자들이 UV-LED(Ultraviolet-LED) 연구에 대한 관심이 점점 높아지고 있다. 이러한 UV-LED는 파장영역대가 400nm 이하의 물질층을 가지는데 대표적인 물질로 AlGaN이 있다. AlGaN은 UV-C LED로 많이 연구되고 있는 상황이며, 주로 사파이어 기판을 사용하는데, 사파이어 기판과 AlGaN의 격자상수와 열팽창계수가 차이남에 의해 사이에 AlN을 완충층으로 박막하여 주로 쓰이고 있다. 본 연구에서는 Ga,Al 전구체과 챔버 유량률에 따른 AlGaN 에피성장거동을 확인하였다. 유기금속화학증착법를 이용하여 에피성장할 기판으로는 패턴된 사파이어 기판위에 스퍼터링기법으로 박막한 AlN template위에 AlGaN을 성장하였다. 실험 후 X-Ray Diffraction(XRD)과 Photoluminescence(PL)장비를 이용하여 측정하였다. 이후 Scanning electron microscope(SEM)을 이용하여 성장 거동을 확인하였다. 이 연구는 2017년도 산업통상자원부 및 한국산업기술평가관리원 연구비 지원에 의한 연구임(10067492). |
| 저자 |
안민주, 정우섭, 조승희, 고현아, 이두원, 심규연, 변동진
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| 소속 |
고려대 |
| 키워드 |
<P>유기금속화학증착법; AlGaN; 에피성장; AlN; 완충층</P>
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