화학공학소재연구정보센터
학회 한국재료학회
학술대회 2006년 봄 (05/19 ~ 05/20, 경상대학교 )
권호 12권 1호
발표분야 전자재료
제목 플라즈마 처리된 ITO/Glass 기판위에 형성한 PEDOT:PSS/PVK/PFO-poss/LiF/Al 구조의 고분자 유기발광다이오드의 제작(Preparation of Polymer Light Emitting Diodes with PEDOT:PSS/PVK/PFO-poss/LiF/Al Structure on Plasma Treated ITO/Glass Substrate)
초록 전류구동 소자인 유기발광다이오드는 사용 재료에 따라 크게 저분자 유기발광다이오드(organic light emitting diode : OLED)와 고분자 유기발광다이오드(polymer light emitting diode : PLED)로 나눌 수 있다. PLED는 OLED 소자에 비하여 공정이 간단할 뿐만 아니라 대화면에 유리하고, 플라스틱 기판을 사용하여 flexible화에 유리한 장점을 가지고 있다. 그러나 PLED는 현재까지 높은 휘도를 나타내는 신뢰성 있는 유기 재료의 개발이 미흡하며 수명이 낮아서 실용화에 장애가 되고 있다. 이러한 단점을 보완하기 위해서는 내부양자 효율이 높은 고분자 재료의 개발과 더불어 신뢰성을 확보할 수 있는 소자구조 및 공정에 대한 연구, 개발이 진행되어야 한다.
본 연구에서는 플라즈마 처리된 Glass/ITO[indium thin oxide] 기판위에 정공주입층으로 PEDOT:PSS[polyethylenedioxithiophene:polystyrenvinylene], 정공수송층으로 PVK[poly(N-vinylcabazole)], 발광층으로 PFO-poss[Polyhedral oligomeric silsesquioxane-terminated poly(9,9-dioctylfluorene)]를 spin-coating법으로 유기 고분자 박막을 형성하고, 버퍼층으로 LiF와 금속전극으로 Al을 열증착(thermal evaporation)법을 이용하여 ITO/PEDOT:PSS/PVK/MEH-PPV/LiF/Al 구조의 PLED 소자를 제작하여 이의 전기,광학적 특성을 조사하였다. ITO 투명전극에 대해 O2 플라즈마 표면처리를 실시한 결과 증착시 플라즈마의 RF power를 증가시킴에 따라 ITO/Glass의 면저항은 7.7Ω/Ώ에서 8.2Ω/Ώ로 증가되는 경향을 보였으며, ITO/Glass 기판의 AFM(atomic force microscopy)은 RF power를 40W 에서 300W 로 증가할 경우 ITO 전극막의 RMS 값이 급격히 감소하여 ITO 박막의 표면 거칠기가 개선되는 경향을 보여주었다. ITO/PEDOT:PSS/PVK/PFO-poss/LiF/Al구조를 갖는 PLED 소자의 발광개시 전압은 약 4V를 나타내었으며 최대발광휘도는 8V에서 약150cd/m2이었다.
저자 공수철, 백인재, 유재혁, 임현승, 장경희, 김종현, 소재훈, 장호정
소속 단국대
키워드 PLED; O2 Plasma; PVK; PFO-Poss; AFM
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