| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2017년 봄 (05/17 ~ 05/19, 목포 현대호텔) |
| 권호 | 23권 1호 |
| 발표분야 | C. 에너지 재료 분과 |
| 제목 | Prevention of Ghost plating during Ni/Ag Light induced plating in p-type silicon solar cells by Application of various Anti-reflection layers and Their thicknesses |
| 초록 | 현재 태양전지의 전면전극형성에는 metal paste를 이용한 Screen printing 공정기술이 상용화 되어있다. 그 외 금속도금용액을 이용한 Plating방식과 Thermal evaporation을 이용한 물리 증착법 등 다양한 전면전극 형성 공정 방법들도 연구가 진행 되고있다. Metal paste를 이용한 Screen printing 전면전극 형성기술의 경우 aspect ratio가 작고 높은 contact resistance를 가지며 인쇄 기술의 한계로 인해 전극을 얇게 제작하여 효율을 높이고 있는 추세에 대비하기 어렵다. 이러한 한계를 극복하고자 Photolithography 공정과 laser ablation 공정을 이용하여 전면 전극패턴의 passivation layer를 개방한 뒤 emitter와 금속을 직접 접촉을 시켜 contact resistance을 낮추고 높은 aspect ratio를 얻어 셀 효율 증가를 기대 해볼 수 있는 Plating 기술에 대해 연구를 해보았다. 본 실험에서는 phosphorus emitter와 반사방지막이 증착 된 p-type silicon wafer에 Photo lithography 공정을 이용하여 전면 전극패턴의 반사방지막을 개방한다. 그 후 Screen printing을 이용하여 Al 후면 전극을 형성한 뒤 firing을 진행하였다. 그 후 Ni/Ag Light Induced Plating에서 Ni을 seed layer로 도금 한 뒤 Ag를 도금하여 전면전극을 형성하였다. 이 과정에서 전극패턴 이외에 반사방지막 표면에서 국부적으로 Ni/Ag가 plating이 발생 하여 power loss를 야기 시키는 ghost plating을 막기위해 다양한 반사방지막 종류와 각 방지막의 두께를 조절하는 방식을 통해 ghost plating을 줄이기 위한 것에 중점을 두었다. |
| 저자 | 최동진, 신승현, 배수현, 박성은, 강윤묵, 이해석, 김동환 |
| 소속 | 고려대 |
| 키워드 | Ghost plating; Light induced plating; Aspect ratio; Contact resistance |
