| 초록 |
본 연구는 Graphene oxide(GO)를 이용한 전도성 고분자 복합재 제조에 관한 것이다. Hummers method로 그라파이트(graphite)부터 GO를 제조한 후, 제조된 GO를 이용한 전도성 고분자 필름을 다음과 같은 방법으로 제조하였다. GO를 DMSO(Dimethyl sulfoxide)에 24h 동안 초음파를 이용하여 분산시킨 후, NMP(N-Methyl-2-pyrrolidone)안에 PAA(peroxyacetic acid, PAA)가 15% 포함된 고분자 용액을 혼합하였다. PAA 혼합 후 초음파를 이용하여 24h 동안 혼합한 용액을 건조 및 열처리를 통하여 전도성 필름을 제조하였다. 필름은 일반적인 solution casting method를 사용하였다. 단계별로 건조 및 열처리를 60℃에서 12시간, 100℃에서 4시간, 200℃에서 4시간, 300℃에서 4시간동안 실시하였다. 이러한 과정을 거치면서, GO는 r-GO로, PAA는 PI로 구조가 변화하면서 PI를 지지체로 가지게 되었다. r-GO/PI 필름을 각각 r-GO 5, 10, 15, 20 wt%별로 제조하였다. 일반적인 PI 필름은 전도성을 가지지 않으나, r-GO가 15 또는 20 wt% 함유된 PI필름의 전도도는 각각 465 Ω㎝, 20 Ω㎝였다. 본 연구는 전도성 복합재료에 응용이 가능하리라 판단된다. |
