| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2002년 봄 (04/26 ~ 04/27, 강원대학교) |
| 권호 | 8권 1호, p.2105 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Cl2/Ar과 C2F6/Ar 가스를 사용한 Polysilicon 박막의 고밀도 플라즈마 식각 |
| 초록 | 본 연구에서는 Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor (MOS FET)의 gate 물질 로서 사용되어지는 polysilicon과 SiO2 박막을 고밀도 플라즈마를 이용하는 ICP RIE를 사용 하여 Cl2/Ar과 C2F6/Ar의 농도에 따라 건식 식각하고, 그에 따른 식각 속도, 식각 선택도, 식각 profile 등에 대한 영향을 조사하여 최적의 식각 가스와 식각 조건을 찾고자 하였다. |
| 저자 | 변요한, 김혜인, 정지원 |
| 소속 | 인하대 |
| 키워드 | polysilicon; etching; ICP RIE |
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| 원문파일 | 초록 보기 |
