| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2016년 봄 (05/18 ~ 05/20, 여수 디오션리조트 ) |
| 권호 | 22권 1호 |
| 발표분야 | G. 나노/박막 재료 분과 |
| 제목 | 플라즈마를 이용한 그래핀의 무결함 질소 도핑과 라만 특성평가 |
| 초록 | 2차원 탄소나노재료인 그래핀은 본연의 우수한 물성으로 인하여 전자소자, 에너지 저장매체, 유연성 전도막 등 다양한 분야로의 응용가능성이 제기되었다. 그러나 실제적인 응용을 위해서는 고품질 그래핀의 합성뿐만 아니라 그래핀의 구조적인 결함을 최소화하며, 특성을 자유로이 제어하거나 향상시키는 공정의 개발이 요구된다. 일반적으로 화학적 도핑은 그래핀의 전기적 특성을 제어하는 효율적인 방법으로 알려져 있다. 화학적 도핑의 방법으로는 그래핀을 특정 가스 분위기에서 고온 열처리하거나 활성종들이 존재하는 플라즈마에 노출시킴으로써, 그래핀을 구성하는 탄소원자를 이종원자로 치환하거나 표면에 흡착시켜 기능화 된 그래핀을 얻는 방법 등이 제시되었다. 특히 플라즈마를 이용한 도핑방법은 저온에서 단시간의 처리로 효율적인 도핑이 가능하고, 플라즈마 변수를 변경하여 도핑정도를 수월하게 제어할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 그러나 플라즈마 내에 존재하는 극성을 띄는 다양한 활성종들로 인하여 그래핀에 구조적인 결함을 형성하여 오히려 특성이 저하될 수 있어 이를 고려한 플라즈마 공정조건의 설정이 필수적이다. 따라서 본 연구에서는 플라즈마에 노출된 그래핀의 Raman 특성을 고찰함으로써 화학적 도핑과 구조적인 결함의 경계를 확립하고 구조결함의 형성을 최소화한 효율적인 도핑조건을 도출하였다. 고품질 그래핀은 물리적 박리법을 이용하여 300 nm 두께의 실리콘 산화막이 존재하는 실리콘 웨이퍼 위에 제작하였으며, 평행 평판형 직류 플라즈마 장치와 rf 리모트 플라즈마가 결합된 HCVD (hybrid chemical vapor deposition) 장치를 이용하여 전극의 위치, 인가전력, 처리시간을 변수로 플라즈마를 방전하여 그래핀의 Raman 특성변화를 관찰하였다. 그래핀의 구조적 결함 및 도핑은 라만 스펙트럼의 D, G, D’, 2D밴드의 강도비와 G밴드의 위치와 반치폭(Full width at half maximum; FWHM)의 변화를 통해 확인하였다. 그 결과, 플라즈마 공정변수를 변경하여 이온의 에너지 및 도즈에 따른 화학적 도핑과 구조적인 결함형성의 경계를 확립하였고 무결함 도핑조건을 도출하였다. 무결함 도핑의 최적 조건은 HCVD 장치를 이용하여 인가전력 100 W, 처리사간 60 초였으며, 이때의 도핑 레벨은 7.8×〖10〗^11/cm^2임을 확인하였다. 이는 기존에 보고된 플라즈마 도핑 결과와 비교하여 낮은 수치이지만 그래핀의 구조적인 손상이 없는 결과로 의미가 있으며, 이러한 결과는 향후 무결함 플라즈마 도핑의 공정 개발에 기여할 수 있을 것으로 기대된다. |
| 저자 | 이병주, 정구환 |
| 소속 | 강원대 |
| 키워드 | 플라즈마; 그래핀; 질소도핑; Raman |
