| 초록 |
ITO(Indium Tin Oxide) 박막은 우수한 투과성과 낮은 면저항을 기반으로 차세대 투명 디스플레이 전극으로 주목받고 있다. 하지만, 재료 원가가 높으며 고진공, 고온의 공정이 필요하고 박막이 brittle하여 미래 디스플레이에 적용하는 데 한계가 있어 이를 극복하기 위하여 새로운 물질의 개발이 필요하다. 대체 후보 중 탄소나노튜브는 뛰어난 전기 전도도와 물리적 특성으로 미래 투명 전극 재료로 기대되고 있으며, 터치패널, 투명 전극, 유연 디스플레이 및 박막 태양전지 등에 적용하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 하지만, 탄소나노튜브 간에 응집 현상과 분산시 사용되는 분산제 등의 불순물들은 양질의 박막 형성을 어렵게 하여 그 특성을 저하시킨다. 이러한 문제점 때문에 탄소나노튜브의 후처리에 대한 연구가 필요한 실정이다. 본 연구에서는 기존에 시도되지 않았던 압력을 인가하는 방식으로 후처리를 진행하여 탄소나노튜브 간의 전기적, 광학적 특성을 향상 시켰다. 또한, 진공 증착 공정이 필요 없는 반도체 물질인 sol-gel Zinc Tin Oxide(ZTO) 와 탄소나노튜브 전극을 이용하여 투명 소자를 제작하여 탄소나노튜브의 투명 디스플레이의 적용 가능성을 확인하였다. 제조된 탄소나노튜브 박막은 four point probe를 이용하여 면저항 측정을하였고 UV-vis, Raman 측정을 통해 광학적 분석을 하였다. SWCNT의 표면은 field emission scanning electron microscope (FESEM)과 Atomic force microscope(AFM)를 이용하여 관찰하였다. 제작된 투명 소자의 전기적 특성은 Semiconductor Parameter Analyzer(4145B)를 이용하여 측정하였다. |
