| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2009년 봄 (05/21 ~ 05/22, 무주리조트) |
| 권호 | 15권 1호 |
| 발표분야 | 전자재료 |
| 제목 | 인광 도펀트를 이용한 백색 고분자 PhPLED의 제작과 특성 |
| 초록 | 본 연구에서는 Iridium 화합물을 용해한 후 spin-coating법을 이용하여 백색 인광 유기 발광다이오드 소자를 제작하여 전기ㆍ광학적 특성을 평가하였다. ITO(indium tin oxide)를 양극(anode)으로 사용하고 정공주입층(HIL, hole injection layer)으로 PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate))를 발광층(EML, emission layer)으로는 host로 사용된 PVK (poly-vinylcarbazole)에 R, G, B dopant로 PFO (poly(9,9-dioctylfluorene)), Ir(ppy)3 (tris(2phenylpyridine)iridium (III)), Ir(pq)2(acac) (bis(2-phenyl-1-quinoline)iridiumacetylacetonate)를 각각 혼합하여 spin-coating 법으로 발광층을 형성하였다 . 정공차단층(HBL, hole blocking layer) 및 전자수송층(ETL, electron transport layer)으로는 TPBI를, 전자주입층(EIL, electron injection layer)으로 LiF (lithium flouride), 음극(cathod)으로 Al을 진공 증착하여 최종적으로 ITO/PEDOT:PSS/PVK:PFO:Ir(ppy)3: Ir(pq)2(acac)/TPBI/LiF/Al 구조를 갖는 백색 인광 유기발광다이오드를 제작하였다. 발광층의 host와 dopant로 사용된 PVK, PFO, Ir(ppy)3, Ir(pq)2acac는 모두 80℃ 에서 250rpm으로 mono-chlorobenzene을 용매로 24시간 동안 용해하였으며, 백색 발광 조건을 찾기 위하여 host인 PVK에 dopant 인 PFO, Ir(ppy)3, Ir(pq)2(acac)의 농도를 각각 조절하여 혼합하였 소자를 제작한 후 농도 변화에 따른 백색 발광 조건을 조사하였다. 백색 발광 농도 조건에서 8V의 인가전압에서 CIE 색좌표상에 (x=0.32, y=0.33)의 특성을 갖는 순수한 백색 발광이 관찰되었으며, 이때 휘도와 전류밀도는 2040 cd/m2,와 720 mA/cm2의 값을 나타내었다. |
| 저자 | 이학민1, 공수철1, 백승준1, 장호정1, 장영철2 |
| 소속 | 1단국대, 2(주)에스이텍 |
| 키워드 | White PhPLED; Irdium Complex; Host-dopant System; PFO; Ir(ppy)3; Ir(pq)2(acac); PVK |
