| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2012년 가을 (11/07 ~ 11/09, 라카이샌드파인 리조트) |
| 권호 | 18권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | 양전자 소멸 측정법에 의한 실리콘에서의 구조 특성 |
| 초록 | 동시 계수 도플러 넓어짐과 수명 측정 방법에 의한 p, n 형 실리콘에 양성자를 0, 3.98, 40 MeV에너지로 조사하였다. 그에 따른 실리콘에서 결함에 대한 변화를 측정하였다. 양전자와 전자의 쌍 소멸로 인한 감마선 스펙트럼에서 전자 밀도를 수리적 해석 방법에 읳나 S-변수와 열린 부피으 ㅣ결함에 대한 양전자 수명, 그리고 이에 따르는 밀도를 측정하였으며,양성자의 Bragg 피크에 따르는 에너지의 변화와 조사량의 변화에 따라서 실리콘에서의 결함 정도가 다르게 나타났다. |
| 저자 | 이권희, 이종용 |
| 소속 | 한남대 |
| 키워드 | 양전자 소멸법; 양성자 조사; n; p; 실리콘 |
