| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2014년 봄 (04/23 ~ 04/25, 창원컨벤션센터) |
| 권호 | 20권 1호, p.741 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Experimental and computational analysis on the deposition of tin oxide films by LPCVD |
| 초록 | Tin oxide 박막은 태양전지 및 디스플레이의 투명 전극으로 주로 사용되며 가스센서, 전도성 코팅 물질 등 다양한 분야에서 폭 넓게 응용된다. 분무열분해(spray pyrolysis), 스퍼터링(sputtering), 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD)은 tin oxide 박막을 제조하는 대표적인 방법으로, 이 중 CVD는 가스의 흐름 및 기판의 온도를 균일하게 조절할 수 있어 공정제어가 용이하다. 또한 CVD는 공정변수를 조절하는 것만으로 다양한 특성의 박막을 얻을 수 있다. 본 연구에서는 저압 화학기상증착(low pressure chemical vapor deposition, LPCVD)을 이용하여 silicon 시편 위에 tin oxide 박막을 증착하였으며 다양한 온도에서 적용 가능한 증착속도식을 제시하였다. Dibutyltin diacetate(DBT)와 oxygen(O2)은 tin oxide 박막을 증착하기 위한 반응가스로 사용하였으며, argon(Ar)은 액상 DBT를 운반하기 위한 운반가스로 사용하였다. Tin oxide 박막의 증착속도식은 반응물의 흡착과 탈착, 표면반응 및 박막의 분해에서 속도결정단계를 고려하여 분석하였다. 제시한 증착속도식을 실험결과에 회귀 분석함으로써 표면반응의 반응속도상수와 활성화 에너지를 결정하였다. |
| 저자 | 김준현, 김창구 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | SnO2; LPCVD |
| 원문파일 | 초록 보기 |
