| 초록 |
CF4, CF4/O2, C2F6 등의 PFCs (Perfluorocompounds) gas 및 NF3, SF6 gas는 반도체 제조산업과 CVD 등의 chamber cleaning 공정에 사용되어 왔다. 하지만 현재 보고된 바에 따르면 SF6 의 100년 기준 global warming potential 지수는 23500, CF4 는 50000, NF3 는 16100 으로 매우 높아 이를 대체할 수 있는 새로운 대체 gas 에 관한 연구가 필수적이라 할 수 있다. 현재 PFCs 의 대체 cleaning gas 로서 global warming potential 지수 및 MMTCE 값이 상대적으로 낮은 NF3 gas 가 많이 쓰이고 있긴 하지만 toxic, price, shortage 측면에서 해결되지 못한 문제가 아직 남아있다. 따라서 본 연구에서는 global warming potential 지수가 낮은 여러 gas 중 C3F6O 및 C3F6O/O2 혼합가스를 사용하여 디스플레이 및 반도체 공정에서 사용되는 SiO2, Si3N4의 식각특성을 분석함으로서 대체가스로의 가능성을 평가하였다. SiO2, Si3N4 blanket thin film 표면에 형성되는 폴리머 등의 분석은 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 이용하여 진행하였고 C3F6O 및 C3F6O/O2 plasma 의 O2를 첨가함에 따른 특성분석은 Intensified charge-coupled device (ICCD)를 이용하여 진행하였다. |
