| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2021년 가을 (10/27 ~ 10/29, 광주 김대중컨벤션센터) |
| 권호 | 27권 2호, p.1972 |
| 발표분야 | 이동현상 |
| 제목 | Angular dependence of etch rates in fluoro-ether/O2/Ar plasmas |
| 초록 | Hydrofluorocarbons (HFCs), perfluorocarbons (PFCs), SF6는 현재 반도체․디스플레이 공정에서 많이 사용되고 있다. 하지만 이들은 global warming potential (GWP)이 높아 온실효과를 유발하는 물질이다. 따라서 HFCs, PFCs, SF6 등을 대체하기 위해 fluoro-ether처럼 GWP가 낮은 물질을 이용한 식각기술이 연구되고 있다. 본 연구에서는 fluoro-ether인 heptafluoropropyl methyl ether (HFE-347mcc3)를 이용하여 SiO2 식각을 수행하였다. HFE-347mcc3/Ar, O2/Ar 비율을 변화시키며 플라즈마 chemistry 변화가 SiO2 식각에 미치는 영향을 알아보았다. 이온 입사 각도에 따른 SiO2 식각속도 변화를 알아보고 SiO2 contact hole profile과 비교하여 식각 메커니즘을 설명했다. |
| 저자 | 유상현, 김창구 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | 이동현상 |
| 원문파일 | 초록 보기 |
