| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2011년 봄 (04/27 ~ 04/29, 창원컨벤션센터) |
| 권호 | 17권 1호, p.732 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Control of the contact hole diameter using inductively coupled fluorocarbon and hydrocarbon plasmas |
| 초록 | 집적 회로(ICs)의 최소 선폭 감소는 Dynamic Random Aceess memory (DRAM)의 device를 고집적도로 향상시키기 위해 중요하다. 마스크에서 기판으로 패턴을 전사시키기 위해 광학적 lithography가 널리 사용되는데, 광학적 lithography의 물리적인 한계를 극복하기 위한 많은 노력이 시도되어 왔다. 본 연구에서는, lithography를 이용하지 않고서 Contact hole의 최소 선폭을 감소시키기 위한 독창적인 방법을 제시하였다. SiO2 기판위에 있는 마스크의 최소 선폭은 불화탄소와 탄화수소 플라즈마 방전시 형성되는 불화탄소막과 탄화수소막을 마스크의 측벽위에 보호층을 증착시켜 조절하였으며, 가스의 유량, 압력, 유도 전력 등 공정 변수를 이용하여 마스크 패턴의 직경을 조절하였다. 마스크의 최소 선폭 조절 후 SiO2 contact hole은 C4F6/Ar/O2/CH2F2 플라즈마를 이용하여 식각하였다. Contact hole의 지름은 마스크 폭의 감소에 따라 조절되었으며 마스크의 초기 직경 대비 50% 이상 감소하였다. |
| 저자 | 김준현, 조성운, 김창구 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | fluorocarbon; contact hole; hydrocarbon; plasma etching; DLC |
| 원문파일 | 초록 보기 |
