| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2001년 가을 (10/19 ~ 10/20, 한밭대학교) |
| 권호 | 7권 2호, p.5195 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 반도체 소자용 구리 무전해도금 공정에서 팔라듐 촉매의 전처리 조건에 따른 구리박막의 지형학적 선택도의 변화 |
| 초록 | 본 연구는 반도체소자의 금속배선공정에서 구리를 무전해도금 방식으로 증착하는 공정이다. 팔라듐촉매를 이용하여 웨이퍼의 표면을 활성화 시켰으며 또한 팔라듐 공정을 변화시킴으로서 웨이퍼의 배선 내에만 선택적으로 팔라듐을 증착시키는 공정을 개발하였다. 또한, 무전해도금을 실시하여 웨이퍼의 배선 내에만 선택적으로 성장시키는 선택적 구리성장의 공정을 연구, 개발하였다. |
| 저자 | 오윤진, 김성희, 조성민, 정찬화 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | 구리무전해도금; 반도체소자; 팔라듐 |
| 원문파일 | 초록 보기 |
