| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2015년 봄 (05/14 ~ 05/15, 구미코) |
| 권호 | 21권 1호 |
| 발표분야 | F. 광기능/디스플레이 재료 |
| 제목 | Plasma characteristics of superimposed ICP source using dual frequency |
| 초록 | 현재 디스플레이 산업은 시간이 지남에 따라 요구되는 panel 사이즈의 증가로 인해 점차 디스플레이 공정을 진행하는 장비 시스템의 사이즈 역시 대면적화가 되는 것은 필수적으로 일어나고 있는 현상이다. 이렇게 점차 커지고 있는 디스플레이 공정에서 필수적으로 요구되어지는 기술인 plasma 기술은 디스플레이를 제작하는데 있어 매우 중요한 기술 중 하나이다. 과거에서부터 현재까지 장비의 대형화에 맞추어 새로운 plasma source가 개발되어져 왔으며, 이러한 source에서 발생되는 plasma 특성 중에서도 high density와 non-uniformity 요소는 디스플레이 제품 제작의 수율에 있어서 매우 중요하게 생각되어지는 부분이다. 지금도 multi electrode, various frequency, pulsing 등 다양한 기술들을 적용하는 대면적 plasma source 개발이 활발하게 연구되고 있다. 본 연구에서는 U-type 안테나를 이용하여 두 개의 다른 주파수를 한 안테나에 적용하는 superimposed 기술을 적용함으로써 단일 주파수를 사용하는 경우와 그 결과를 비교해 보았다. U-type 안테나는 Chamber 내부에 위치하는 internal linear 형태의 antenna이며, 이 형태는 대면적 공정에 있어서 기존의 spiral 형태의 ICP antenna에 비해 균일도가 좋다는 장점을 가지고 있다. 또한 이 공정은 압력이 200 mTorr로 기존의 공정에 비해 상대적으로 높은 압력에서 진행하였으며, 이는 TMP(Turbo molecular pump)를 사용하지 않아 설비의 단순화를 통하여 장비 자체의 단가를 낮출뿐만 아니라 plasma를 적용할 수 있는 기술 범위를 넓이고자 하였다. Langmuir probe와 ion saturation probe를 이용하여 plasma density와 electron temperature 특성을 분석할 있었으며, photoresist를 이용하는 식각 공정을 통하여 plasma non-uniformity 결과를 비교 분석하였다. |
| 저자 | 이승민1, 김태형1, 이철희1, 김경남1, 배정운1, 염근영2 |
| 소속 | 1성균관대, 2성균나노과학기술원 |
| 키워드 | display; plasma; plasma source; |
