| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2002년 봄 (04/26 ~ 04/27, 강원대학교) |
| 권호 | 8권 1호, p.2097 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 6H-SiC 기판 표면의 수소 식각에 의한 Step 제어와 결정 박막의 동종 핵 성장 연구 |
| 초록 | 본 연구는 고온, 고전압의 산업기기와 에너지 집중형 및 극한 환경에 구동되는 시스템 을 이끌 차세대 반도체 기술에 대한 연구와 기술개발을 목표로 하고 있다. 현재 Si와 GaAs 는 이러한 시스템에 이용되고 있는 재료로서 그 수많은 장점에도 불구하고, 낮은 열전도도 로 인해 고온에서의 특성이 저하되며, 낮은 항복전압을 가지고 있어 고주파, 고출력 영역에 서 한계성을 나타낸다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 많은 연구자들은 내열성, 높은 열전 도도, 높은 내전압의 특성을 갖는 탄화규소(silicon carbide : SiC)를 차세대 반도체 재료로 서 연구하고 있다. |
| 저자 | 이경선, 노재일, 이승현, 남기석 |
| 소속 | 전북대 |
| 키워드 | 6H-SiC; rf-CVD; step-controlled epitaxy |
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| 원문파일 | 초록 보기 |
