| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 1996년 가을 (10/18 ~ 10/19, 경북대학교) |
| 권호 | 2권 2호, p.2507 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | ICP Oxide Etcher 안에서의 가스 흐름의 대칭성 향상 |
| 초록 | 차세대 etcher에서는 활성 etchant를 생성시키기 위하여 고밀도 플라즈마 source를 사용할 것으로 예측된다. 고밀도 플라즈마는 이온 에너지를 최소화하고 따라서 식각에 의한 damage를 최소화하면서 매우 낮은 압력에서 공정을 가능하게 한다. 한편, 이러한 고밀도 플라즈마를 사용하는 etcher들에서는 양질의 균일도를 얻기가 어려움이 증명되었으며 이는 특히 대구경 웨이퍼를 사용할 경우에는 그 불균일도가 고조될 수 있다고 한다. 한 웨이퍼에서 식각 속도의 균일도에 영향을 미치는 인자들은 웨이퍼 부근에서 식각 활성 etchant의 분포, 플라즈마의 균일도, 식각 반응기 내부의 유체 흐름 분포 등이 있다. 본 연구에서는 배플을 사용함으로써 식각 반응기 내부의 유체 흐름 분포의 대칭성을 향상시키는 방안을 모델링과 전산모사에 의하여 제시하였다. |
| 저자 | 정원영, 김도현 |
| 소속 | 한국과학기술원 화학공학과 공정해석연구실 |
| 키워드 | Etcher; Gas flow symmetry; simulation. |
| 원문파일 | 초록 보기 |
