| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2004년 가을 (10/29 ~ 10/30, 호서대학교(아산캠퍼스)) |
| 권호 | 8권 2호 |
| 발표분야 | 정보,전자소재 |
| 제목 | SiNx 박막을 이용한 Si nanodot 형성에 관한 연구 |
| 초록 | 최근에 급성장하는 정보화 시대를 맞이하여 대표적인 차세대 비휘발성 고집적 메모리소자로써 Flash 메모리가 주목 받고 있다. 이와 더불어 Flash 메모리의 고속화와 고집적을 위하여 complementary metal oxide silicon (CMOS)의 oxide 층의 내부에 floating gate를 대신할 Si nanodot을 형성함으로써 전자를 효과적으로 trap 할 수 있는 방법에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 dc magnetron sputter를 이용하여 Si-rich인 SiNx 박막을 증착하였고, 증착 후 열처리를 통하여 SiNx 박막 내에 나노미터 크기의 Si crystal을 형성시키고자 하였다. 스퍼터링 공정에서, dc power, 공정 가스의 유량, 공정 압력을 주요 변수로 선택하여 각각 변화시키면서 SiNx 박막의 증착 속도를 얻었고, X-ray photoelectron spectroscopy 분석을 이용하여 박막의 성분을 조사함으로써 Si-rich인 SiNx 박막의 조성을 확인하고자 하였다. 또한 증착된 SiNx 박막을 furnace에서 annealing온도와 furnace내의 가스 변화에 따른 열처리를 통하여 Si nanodot의 형성을 시도하였다. Si crystal의 존재 여부를 조사하기 위하여 X-ray diffraction 분석과 photoluminescence를 이용하였다. 조사된 특정 온도와 공정 가스의 열처리에서 Si nanodot이라고 예상되는 결과를 관찰 할 수 있었다. |
| 저자 | 이장우, 박익현, 정지원 |
| 소속 | 인하대 |
| 키워드 | Si dot; SiNx |
