| 초록 |
인쇄전자, 플렉서블 디스플레이에 사용되는 유기전자재료는 수분과 산소에 매우 취약하다. 따라서 유연기판을 고품질 투습방지막으로 encapsulation 하기 위해 저온에서 silicon nitride 를 증착하는 기술은 매우 중요하다. 본 연구에서는 multi-tile push-pull plasma source 를 이용한 very high frequency (162 MHz) plasma-enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD) system 에서 NH3/SiH4 혼합 gas 에 N2 유무에 따라 성막된 silicon nitride 와 plasma 특성에 대해 조사를 하였고, conventional, 2-electrode CCP (60 MHz) 대비 VHF (162 MHz) multi-tile push-pull source 의 plasma 에서 낮은 electron temperature (Te), 높은 vibrational temperature (Tv) 그리고 높은 N2 dissociation rate 의 특성을 OES 분석을 통해 확인할 수 있었다. 또한 VHF (162 MHz) multi-tile push-pull plasma source 의 최적화된 공정 조건에서 박막을 porous 하게 만드는 Si-H bonding 을 현저하게 감소시키며 화학양론적인 Si3N4 의 조성비를 FTIR 과 XPS 분석을 통해 확인할 수 있었고, PET 기판에 300 nm 두께로 증착된 silicon nitride 에서 90 % 이상의 높은 투과율 과 1.18 x 10-4 g/m2·day 의 낮은 투습도를 통해 high quality 의 박막이 성장된 것을 증명할 수 있었다. |
