| 초록 |
기존 화학증폭형 레지스트는 Extreme UV lithography(EUVL) 기술 적용 시에 stochastic issue, photon-shot noise 등의 문제점을 가진다. 이를 개선하기 위해 본 연구에서는 EUV 노광 시 우수한 흡광성과 내식각성을 가지는 주석과 C-F 결합의 가교를 발생시킬 수 있는 고불소계 사슬을 리간드로 도입하여 비화학증폭형 고불소화 사다리형 주석산화물을 합성하였다. 합성된 물질로 박막을 형성하였으며, e-beam 또는 EUV를 조사하여 우수한 감도와 20 nm 급 패턴 성능을 확인하였다. 조사된 박막을 고불소계 용제로 현상하였을 때 negative-tone과 positive-tone이 동시에 구현되는 특징을 발견하여 XPS와 nano indentation으로 분석하였다. 또한 식각 저항성을 평가한 결과 KrF 포토레지스트에 비해 우수한 식각 저항성을 나타내어 금속 도입 효과를 확인하였다. Acknowledgement: This work was supported by Korea Institute for Advancement of Technology (KIAT) grant funded by the Korea Government (MOTIE) (P0008458, HRD Program for Industrial Innovation). This research was supported by the BK21 Four Program (Convergence Program for Full Cycle Control of Microplastics). |
