279 - 284 |
다양한 박막층을 채용한 코발트실리사이드의 물성 Characteristics of Cobalt Silicide by Various Film Structures 정성희, 송오성 |
285 - 291 |
증기급속응축법 제조 귀금속 나노분말의 결정학적 특성 연구 Characterization of Crystal Structure for Nanosized Noble Metal Particles Fabricated by ERC(Evaporation and Rapid Condensation) Method 유연태 |
292 - 296 |
기계적 합금화로 제조된 Fe 0.92 Mn 0.08 Si 2 의 상변화 및 열전 특성 Phase Transformation and Thermoelectric Properties of Fe 0.92 Mn 0.08 Si 2 Prepared by Mechanical Alloying 김영섭, 조경원, 김일호, 어순철, 이영근 |
297 - 302 |
회주철의 수축결함생성에 미치는 주조방안 및 화학조성의 영향 Effects of Risering Design and Chemical Composition on Formation of Shrinkage Cavity in Gray Cast Iron 류성곤 |
303 - 308 |
PECVD로 제조된 비정질 질화탄소 박막의 물성에 미치는 열처리 효과 Effects of Thermal Annealing on the Properties of Amorphous Carbon Nitride Films Deposited by PECVD 문형모, 김상섭 |
309 - 312 |
MOCVD로 제조한 SnO 2 박막의 표면반응 특성 Characteristics of Surface Reaction of SnO 2 Thin Films Prepared by MOCVD 박경희, 서용진, 홍광준, 이우선, 박진성 |
313 - 316 |
에피텍셜 베이스 실리콘 태양전지에서 Buried Contact 효과 Effect of Buried Contact on the Epitaxial Base Silicon Solar Cell 장지근, 임용규, 정진철 |
317 - 322 |
졸-겔 법으로 성장시킨 Nb가 첨가된 Bi 4 Ti 3 O 12 박막의 미세구조와 전기적 성질 Microstructures and Electrical Properties of Niobium-doped Bi 4 Ti 3 O 12 Thin Films Fabricated by a Sol-gel Route ` 김상수, 장기완, 한창희, 이호섭, 김원정, 최은경, 박문흠 |
323 - 327 |
화학기상응축 공정에서 TiO 2 나노입자 특성에 미치는 반응온도와 전구체 농도의 영향 - Part I: SMPS를 이용한 실시간 입자특성 평가 Effects of Temperature and Precursor-concentration on Characteristics of TiO 2 Nanoparticles in Chemical Vapor Condensation Process -Part I: Real-time Particle Characterization by SMPS 이창우, 유지훈, 임성순, 윤성희, 이재성, 좌용호 |
328 - 332 |
화학기상응축 공정에서 TiO 2 나노입자 특성에 미치는 반응온도와 전구체 농도의 영향 -Part II 분말형성에 대한 반응인자적 분석 Effects of Temperature and Precursor-concentration on Characteristics of TiO 2 Nanoparticles in Chemical Vapor Condensation Process -Part II: Analysis of Particle Formation Estimated by Reaction Factors 이창우, 유지훈, 임성순, 윤성희 ,이재성, 좌용호 |
333 - 337 |
열 화학 기상 증착법을 이용한 탄소 나노 튜브 전계 방출 소자의 제조 Fabrication of Field Emission Device Using Carbon Nanotubes Synthesized by Thermal Chemical Vapor Deposition 유완준, 조유석, 최규석, 김도진, 김효진, 윤순길 |
338 - 342 |
Ti glue layer, Boron dopant, N 2 plasma 처리들이 Cu와 low-k 접착력에 미치는 효과 Adhesion Property of Cu on Low-k : Ti Glue Layer, Boron Dopant, N 2 plasma effects 이섭, 이재갑 |